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MOS管主要參數(shù) | ||
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| 1.開(kāi)啟電壓VT ·開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓； ·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V； ·通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 | ||
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| 2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。 | ||
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| 3. 漏源擊穿電壓BVDS ·在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS ·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面： （1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿 （2）漏源極間的穿通擊穿 ·有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后 ，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID | ||
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| 4. 柵源擊穿電壓BVGS ·在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。 | ||
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| 5. 低頻跨導(dǎo)gm ·在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo) ·gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù) ·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi) | ||
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6. 導(dǎo)通電阻RON | ||
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| 7. 極間電容 ·三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS ·CGS和CGD約為1～3pF ·CDS約在0.1～1pF之間 | ||
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| 8. 低頻噪聲系數(shù)NF ·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的 ·由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸 出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化 ·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB） ·這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小 ·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù) ·MOS管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小 | ||
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