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tft液晶顯示屏的結構　　
        通常的a-Si TFT主要由玻璃基板、柵電極、柵絕緣層、半導體活性層a-Si,歐姆接觸層n+a-Si、源漏電極及保護膜等組成，其中柵絕緣層和保護膜一般采用SiN。

　　a-Si TFT 的結構可分為四種典型結構：源、漏、柵三電極位于半導體活性層a-Si同一側的平面結構，其中源、漏、柵三電極位于a-Si層上側的稱正柵平面結構，源、漏、柵三電極位于a-Si層下側的稱倒柵平面結構;源、漏、電極與柵電極位于a-Si層兩側的交錯結構，其中柵電極在a-Si層上側，源、漏電極在a-Si層下側的稱正柵交錯結構或頂柵結構，柵極在a-Si下側，源、漏電極在a-Si層上側的稱倒柵交錯結構或底柵結構。

　　從制造工藝上看，交錯結構的SiN，a-Si和n+a-Si三層(或其中二層)可以連續淀積，適合流水作業，又可減少交叉污染。現在，交錯結構已成為主流，它不僅對a-Si，SiN。n+a-Si可連續作業，而且倒柵還可以作遮光層(不需另設遮光層)，這對a-Si TFT是重要的，因為a-Si對光敏感，一旦有光流入引起漏電流增加，將會導致像質惡化。

tft液晶顯示屏制備工藝：

　　首先是在上下基板表面分別涂敷聚酰亞胺膜并通過摩擦工藝，形成可誘導分子按要求排列的取向膜。之后在TFT陣列基板周邊布好密封膠材料，并在基板上噴灑襯墊。同時在CF基板的透明電極末端涂布銀漿。然后將兩塊基板對位粘接，使CF圖案與TFT像素圖案一一對正，再經熱處理使密封材料固化。在印刷密封材料時，需留下注入口，以便抽真空灌注液晶。

　　近年來，隨著技術進步和基板尺寸的不斷加大，在盒的制做工藝上也有很大的改進，比較有代表性的是灌晶方式的改變，從原來的成盒后灌注改為ODF法，即灌晶與成盒同步進行。另外.墊襯方式也不再采用傳統的噴灑法

公司名稱：深圳市松山電子科技有限公司
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