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PECVD產品簡介：
此款設備配有Plasma實現等離子增強，滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置，可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力，帶刻度的調節閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
主要功能和特點：
1、利用輝光放電產生等離子體電子激活氣相；
2、提高了氣相反應的沉積速率、成膜質量；
3、可通過調整射頻電源頻率來控制沉積速率；
4、能廣泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。
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滑軌管式爐技術參數 |
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石英管尺寸 |
L1400mm Φ（60、80、100） |
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加熱元件 |
摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲 |
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測溫元件 |
K型熱電偶 |
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加熱區長度 |
400mm |
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恒溫區長度 |
200mm |
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工作溫度 |
≤1100℃ |
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控溫模式 |
模糊PID控制和自整定調節，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能 |
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控溫精度 |
±1℃ |
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升溫速率 |
≤20℃/min |
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電功率 |
AC220V/50HZ/3KW |
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質量供氣系統技術參數
外形尺寸
600x600x600mm
標準量程
50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）；
壓力表測量范圍
-0.1Mpa～0.15Mpa
極限壓力
3MPa
針閥
316不銹鋼
截止閥
Φ6mm 316不銹鋼針閥
電功率
AC220V/50HZ/20W
響應時間
氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec
準確度
±1.5%
線性
±0.5～1.5%
重復精度
±0.2%
接口
Φ6,1/4''
真空系統技術參數
外型尺寸
600×600×600mm
工作電電壓
220V±10% 50~60HZ
功率
400W
抽氣速率
4L\s
極限真空
4X10-2Pa
實驗真空度
1.0X10-1Pa
容油量
1.1L
進氣口口徑
KF25
排氣口口徑
KF25
轉速
1450rpm
射頻電源
信號頻率
13.56 MHz±0.005%
功率輸出范圍
3W-300W 5W-500W可選
最大反射功率
200W
射頻輸出接口
50 Ω, N-type, female
功率穩定度
±0.1%
諧波分量
≤-50dbc
供電電壓
單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ
整機效率
>=70%
功率因素
>=90%
冷卻方式
強制風冷
QQ：2913014075
